Big Data & Fast Storage

La tecnología de almacenamiento en estado sólido ya está presente de alguna u otra manera en todos los datacenters. No obstante, cuando acabes de leer este post y pongas en balance lo bueno, lo feo y lo malo de la tecnología en sí, te darás cuenta enseguida de que para poder extraer todo el potencial que ofrece la tecnología se hacen necesarios un conjuntos de mecanismos específicos para la gestión y el control de la misma. Lo bueno : tiempo de respuesta (latencia) muy corto, bajo consumo eléctrico, elevada densidad con relación al tamaño, excelente bajo patrones de E/S aleatorios (especialmente en lecturas). Lo feo : Las operaciones de borrado son lentas (unos 5 mili-segundos), se produce un desgaste con el tiempo que limita la vida de las páginas, las tecnologías utilizadas para aumentar la densidad a la vez que garantizan la fiabilidad parecen hacer a la tecnología mas lenta (generación SLC vs MLC). Lo malo : Las operaciones de escritura bloquean a las de lectur...

Como he mencionado anteriormente, una de las características principales de los dispositivos de memorias flash es que la modificación de los datos en una celda sigue el modelo “Erase before Write” y, por imposiciones en el diseño del dispositivo NAND, aunque la lectura y la escritura se realiza a nivel de página sin embargo el borrado solo puede ocurrir a nivel de bloque. Las operaciones de E/S en flash (lectura, escritura y borrado) se rigen por la exclusión mutua a nivel del plano: si se procesa una lectura no se puede escribir y hay que esperar a que la operación anterior termine, si se procesa una escritura o borrado no es posible leer y es necesario esperar también. Además, las operaciones de E/S en flash utilizan distintas granularidades: Lectura : es posible leer uno o varios bytes de forma muy rápida (50-150 micro-segundos). Escritura : es posible escribir con un tamaño fijo determinado por el tamaño de página del chip, 4K, 8K o 16K, y esta operación es algo mas lenta...